Pulvérisation cathodique magnétron est un nouveau moyen de revêtement physique en phase vapeur, des procédés de revêtement par évaporation par rapport à des points précédents, beaucoup de ses avantages sont évidents. Comme cela a été le développement d'une technologie plus mature, pulvérisation magnétron a été utilisé dans de nombreux domaines.

Magnétron principe de pulvérisation : électrode de la cible est pulvérisée (cathode) appliquée entre l' anode et un des champs magnétiques et électriques orthogonaux dans une chambre à vide élevé remplie d'un gaz inerte est nécessaire (en général le gaz Ar ) , l'aimant permanent dans le matériau cible est formé sur la surface de 250 à 350 gauss , avec un champ électrique à haute tension composée de champs électromagnétiques orthogonales. Dans le domaine électrique , le gaz Ar ionisé en ions positifs et des électrons , la cible , plus une certaine pression négative , les électrons d'ionisation de probabilité de l'effet de champ magnétique avec le gaz de travail à partir de l'augmentation émis des électrodes de cible à proximité de la cathode pour former un plasma à haute densité corps , des ions Ar accélérée sous l'action de la force de Lorentz en direction de la surface de la cible dans un bombardement à grande vitesse de la surface de la cible , de sorte que la cible est pulvérisée atomes de suivre le principe de transfert d'énergie cinétique à partir de l' énergie cinétique élevée vers le substrat de surface cible dép?t film. Pulvérisation magnétron est généralement divisé en deux types : un affluent de pulvérisation et pulvérisation cathodique RF , un affluent de l'appareil de pulvérisation qui est simple dans son principe , dans la pulvérisation de métal, son taux est également rapide . L'utilisation d'une gamme plus large de la pulvérisation cathodique RF, la pulvérisation cathodique peut être un matériau conducteur , en plus , la pulvérisation cathodique peut également être un matériau non conducteur , un oxyde est également préparé par pulvérisation cathodique réactive de division , de nitrure ou d'un matériau composite de carbure . Si les fréquences RF augmente après devenant plasma de pulvérisation à micro-ondes , la résonance cyclotronique électronique actuel couramment utilisé (ECR ) de pulvérisation au plasma micro-ondes .

Cible de pulvérisation magnétron:

Des cibles de pulvérisation en métal, des cibles de pulvérisation en alliage, cibles de pulvérisation en céramique, céramique pulvérisation borure cible, carbure, cibles de pulvérisation en céramique, céramique pulvérisation fluorure cible nitrure cible de pulvérisation céramique, oxyde cible céramique, séléniure cible de pulvérisation céramique, cibles de pulvérisation en céramique siliciure, céramique sulfures de cibles de pulvérisation , tellurures cibles céramiques de pulvérisation, autre cible céramique, oxyde de chrome silicium dopé cible céramique (Cr-SiO), cible de phosphure d'indium (InP), cible de plomb arsenic (SAFP), cible d'arséniure d'indium (InAs).

Haute densité de haute pureté cible de pulvérisation:

La cible de pulvérisation (pureté: 99,9% -99,999%)

1.cible métallique:

Cible de nickel, Ni, cible de Ti, Ti, cible de Zn, Zn, cible de Cr, Cr, la cible de Mg, Mg, cible Nb, Nb, cible Sn, Sn, Al cible, Al, cible d'indium, In, cible de Fe, Fe, cible de zirconium d'aluminium, ZrAl, le titane cible d'aluminium, le TiAl, cible de zirconium, Zr, cible d'Al-Si, AlSi, cible de silicium, Si, cible Cu Cu, cible de tantale T, a, a germanium cible, Ge, la cible d'argent, Ag, cible de cobalt, Co, cible d'or, Au, cible Gd, Gd, le lanthane cible, La, cible d'yttrium, Y, cible Ce, Ce, cible de tungstène, w, cible en acier inoxydable, la cible de nickel-chrome, NiCr, cible d'hafnium , Hf, mammographie, Mo, cible de fer-nickel, de ferronickel, cible de tungstène, W, etc.

2.cible céramique

Cible ITO, l'oxyde cible de magnésium, l'objectif de l'oxyde de fer, une cible de nitrure de silicium, cible de carbure de silicium, une cible de nitrure de titane, l'objectif de l'oxyde de chrome, une cible d'oxyde de zinc, la cible de sulfure de zinc, l'objectif de la silice, la cible d'oxyde de silicium, de cérium dioxyde de cible d'oxyde, cible de zirconium, l'objectif de pentoxyde de niobium, cible de dioxyde de titane, l'objectif de dioxyde de zirconium, l'objectif de l'oxyde d'hafnium, une cible de diborure de titane, cible de zirconium et de diborure, cible de trioxyde de tungstène, l'oxyde d'aluminium cible du pentoxyde de tantale, cible de pentoxyde de niobium, objectif de fluorure de magnésium, l'objectif de fluorure d'yttrium, l'objectif de séléniure de zinc, une cible de nitrure d'aluminium, la cible de nitrure de silicium, une cible de nitrure de bore, la cible de nitrure de titane, une cible de carbure de silicium, cible de lithium de l'acide de niobium, l'objectif praséodyme titanate, le titanate de baryum cible, le titanate de lanthane cible, cible d'oxyde de nickel, de cibles de pulvérisation.