マグネトロンスパッタリング、物理気相コーティングの新しい方法であり、蒸著コーティング方法は、以前のポイントに比べて、その多くの利點は明白である。より成熟した技術の開発であったように、マグネトロンスパッタリングは、多くの分野で使用されている。

マグネトロンスパッタリング原理：ターゲットがスパッタされる電極（陰極）を不活性ガスで充填され、高真空チャンバ內でアノードと直交する磁場と電場との間に印加が必要とされる（通常はArガス） 、ターゲット內の永久磁石材料は、直交電磁場からなる高電圧電界が、 250?ガウスの表面に形成されている。電場は、Arガスが高密度プラズマを形成するためにカソード近傍のターゲット電極から放出された増大された作動ガスと磁場効果によって正イオンと電子が、ターゲットに加えて一定の負圧、イオン化確率電子に電離ターゲットは、ターゲット表面に向かって高い運動エネルギーから運動量移動の原理に従うために原子をスパッタするように、本體は、Arイオンは、ターゲット表面の高速衝撃にターゲット表面に向かってローレンツ力の作用下で加速された基板堆積膜。マグネトロンスパッタリングは、一般的に2種類に分かれています。スパッタリングおよびRFスパッタリングの支流、金屬のスパッタリングでは、原理的には単純であるスパッタリング裝置の支流は、そのレートも速いです。 RFスパッタリングより広い範囲の使用は、スパッタリングを加えて、スパッタリングはまた、酸化物はまた、反応性スパッタ課、窒化物または炭化物化合物材料により調製される、非導電性材料とすることができる導電性材料であってもよい。マイクロ波プラズマスパッタリングなってからRF周波數が増加すると、現在一般的に使用される電子サイクロトロン共鳴（ECR）マイクロ波プラズマスパッタリング。

マグネトロンスパッタリングターゲット：

金屬スパッタリングターゲット、合金スパッタリングターゲット、スパッタリングターゲットセラミック、セラミックスパッタリングターゲットホウ化物、炭化物、セラミックスパッタリングターゲット、スパッタリングターゲットセラミックフッ化窒化セラミックスパッタリングターゲット、酸化物セラミックターゲット、セレンセラミックスパッタリングターゲット、スパッタリングターゲットシリサイドセラミック、セラミックスパッタリングターゲット硫化物、セラミックスパッタリングターゲット、他のセラミックターゲットをテルル化物、酸化クロムドープされケイ素セラミックターゲット（のCrのSiO）、リン化インジウムターゲット（のInP）、ヒ素、鉛被（PBAS）、ヒ化インジウムターゲット（のInAs）。

高純度スパッタリングターゲットの高密度：

スパッタリングターゲット（純度99.9％-99.999％）

1. 金屬ターゲット：

ニッケルターゲットにNi、TiターゲットのTi、Znの対象はZn、CrターゲットにCr、MgターゲットはMg、NbターゲットはNb、Snターゲット、SnとAlターゲット、アルミニウム（Al）、インジウムターゲットにおいては、Feターゲット、鉄、アルミニウムジルコニウムターゲット、ZrAl、チタンアルミニウムターゲットのTiAl、ジルコニウムターゲットとZr、Al-Si系ターゲットのAlSi、シリコンターゲットに、Si、Cuターゲット銅、タンタルターゲットT、標的ゲルマニウム、ゲルマニウム、銀ターゲット、銀、コバルトターゲットはCo、金ターゲット、金（Au）、Gdのターゲット、Gdの、標的ランタン、ラ、イットリウム標的、Y、Ceのターゲット、Ceと、タングステンターゲット、wは、ステンレス鋼ターゲット、ターゲットニッケルクロム、ニッケルクロム、ハフニウムターゲット、ハフニウム、マンモグラフィ、等モリブデン、鉄 - ニッケルターゲットのFeNi、タングステンターゲット、W、。

2. セラミックターゲット

ITOターゲット、ターゲットマグネシウム、酸化鉄、酸化物ターゲット、窒化ケイ素、炭化ケイ素ターゲット、窒化チタンターゲット、酸化クロムターゲット、シリカ、シリコン酸化物ターゲット、セリウム酸化物ターゲットの酸化亜鉛、硫化亜鉛ターゲット、ターゲットのターゲットのターゲット二酸化ジルコニウムターゲット、五酸化ニオブのターゲット、二酸化チタンターゲット、二酸化ジルコニウム、ハフニウム酸化物ターゲット、二ホウ化チタン、二ホウ化ジルコニウムターゲット、三酸化タングステン、アルミニウム酸化物ターゲット五のターゲットのターゲットのターゲットタンタル、五酸化ニオブターゲット、フッ化マグネシウムの目標、フッ化イットリウムターゲット、セレン化亜鉛ターゲット、窒化アルミニウム、窒化ケイ素ターゲット、窒化ホウ素の目標、窒化チタンターゲット、炭化ケイ素のターゲット、ニオブ酸ターゲットリチウムターゲットは、ターゲットプラセオジム、チタン酸バリウム、チタン酸ターゲット、チタン酸ランタン、ニッケル酸化物ターゲット、スパッタリングターゲットを標的とする。