タングステンターゲット

スパッタリング、という點では、展示に99％以上、100μm以下、20 ppmまたは以下の500 MPa以上＆以上の偏向力の酸素コンテンツの平均結晶粒徑の相対密度を特徴焼結タングステンターゲット半およびメソッド安定性原料タングステン粉末の改善、生産條件を使用して、改善焼結條件を、低コスト、でタングステンターゲットを準備するため。焼結タングステンターゲットは、密度の高い、従來の圧力焼結法によって達成されてない著しく偏向力で、その発生が大幅に減少したが改善される結晶構造の細かさの高い學位を持ってパーティクル欠陥の。

素材： タングステン
サイズ：Thinkness( <20mm) xWideth (<300mm) x Longth(500mm)
條件：グランド
アプリケーション：PVDコーティング業界、X線管のように。